STD1NK60-1, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 0,63А, 30Вт, I2PAK
![Фото 1/3 STD1NK60-1, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 0,63А, 30Вт, I2PAK](https://static.chipdip.ru/lib/859/DOC043859518.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/313/DOC023313613.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/511/DOC016511928.jpg)
43 шт., срок 5-6 недель
530 ֏
от 10 шт. —
379 ֏
от 30 шт. —
339 ֏
1 шт.
на сумму 530 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 0,63А, 30Вт, I2PAK Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 1 A |
Maximum Drain Source Resistance | 8.5 Ω |
Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 3.7V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 30 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2.25V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | IPAK(TO-251) |
Pin Count | 3 |
Series | MDmesh, SuperMESH |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 7 nC @ 10 V |
Width | 6.2mm |
Brand: | STMicroelectronics |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
Fall Time: | 25 ns |
Forward Transconductance - Min: | 1 S |
Id - Continuous Drain Current: | 1 A |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | TO-251-3 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 3 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 7 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 8 Ohms |
Rise Time: | 5 ns |
Series: | STQ1HNK60R |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Type: | MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time: | 19 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 6.5 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.25 V |
Вес, г | 0.41 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 25 августа1 | бесплатно |
HayPost | 28 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг