STN1NK60Z, MOSFET, Single - N-Channel, 600V, 300mA, SOT-223
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3990 шт., срок 8-10 недель
580 ֏
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 2 900 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 189мА, 3,3Вт, SOT223 Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| кол-во в упаковке | 4000 |
| Brand | STMicroelectronics |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single Dual Drain |
| Factory Pack Quantity | 4000 |
| Fall Time | 18 ns |
| Forward Transconductance - Min | 0.5 S |
| Height | 1.8 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 300 mA |
| Length | 6.5 mm |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | SOT-223-3 |
| Packaging | Reel |
| Pd - Power Dissipation | 3.3 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 4.9 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 15 Ohms |
| Rise Time | 5 ns |
| RoHS | Details |
| Series | N-channel MDmesh |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Type | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time | 13 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 5.5 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| Width | 3.5 mm |
| Вес, г | 0.2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1003 КБ
Datasheet STN1NK60Z
pdf, 1002 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 30 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 3 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
