STB14NK60ZT4, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 8,5А, 160Вт, D2PAK
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
75 шт., срок 7-8 недель
1 520 ֏
от 10 шт. —
1 160 ֏
от 30 шт. —
1 050 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 520 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 8,5А, 160Вт, D2PAK Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Fall Time: | 13 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 11 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 13.5 A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | D2PAK-3(TO-263-3) |
| Pd - Power Dissipation: | 160 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 75 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 500 mOhms |
| Rise Time: | 18 ns |
| Series: | STB14NK60ZT4 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | SuperMESH |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Type: | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 62 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 26 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Вес, г | 1.69 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 953 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
