N-Channel MOSFET, 75 A, 200 V, 3-Pin TO-247 STW75NF20
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
450 шт., срок 8 недель
5 400 ֏
Кратность заказа 30 шт.
30 шт.
на сумму 162 000 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 75 A |
Maximum Drain Source Resistance | 34 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 200 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 190 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
Minimum Operating Temperature | -50 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-247 |
Pin Count | 3 |
Series | STripFET |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 84 nC @ 10 V |
Width | 5.15mm |
Case | TO247 |
Drain current | 47A |
Drain-source voltage | 200V |
Gate-source voltage | ±20V |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | tube |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Mounting | THT |
On-state resistance | 28mΩ |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 190W |
Technology | STripFET™ |
Type of transistor | N-MOSFET |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг