N-Channel MOSFET, 45 A, 500 V, 3-Pin TO-247 STW45NM50
![Фото 1/5 N-Channel MOSFET, 45 A, 500 V, 3-Pin TO-247 STW45NM50](https://static.chipdip.ru/lib/161/DOC031161527.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/161/DOC031161530.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/806/DOC043806614.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307885.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/179/DOC007179527.jpg)
300 шт., срок 8 недель
12 800 ֏
Кратность заказа 30 шт.
30 шт.
на сумму 384 000 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 28,4А, 390Вт, TO247 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 45 A |
Maximum Drain Source Resistance | 100 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 500 V |
Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 417 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
Minimum Operating Temperature | -65 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-247 |
Pin Count | 3 |
Series | MDmesh |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 87 nC @ 10 V |
Width | 5.15mm |
Automotive | No |
Category | Power MOSFET |
Life Cycle | Active |
Maximum Continuous Drain Current - (A) | 45 |
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 100@10V |
Maximum Drain Source Voltage - (V) | 500 |
Maximum Gate Source Voltage - (V) | ?30 |
Maximum Operating Temperature - (?C) | 150 |
Maximum Power Dissipation - (mW) | 417000 |
Military Qualified | No |
Minimum Operating Temperature - (?C) | -65 |
Package Family Name | TO-247 |
Packaging | Tube |
Standard Package Name | TO-247 |
Supplier Package | TO-247 |
Technology | MDmesh |
Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 87 |
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 87@10V |
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 3700@25V |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet STW45NM50
pdf, 711 КБ
Datasheet STW45NM50
pdf, 583 КБ
STW45NM50
pdf, 578 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг