NGTB40N65FL2WG
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 200 ֏
от 10 шт. —
2 670 ֏
от 30 шт. —
2 320 ֏
от 100 шт. —
2 010 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 200 ֏
Описание
Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT) for motor drive and other high current switching applications.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 80 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Operating Temperature | +175 C |
| Maximum Power Dissipation | 366 W |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package Type | TO-247 |
| Pin Count | 3 |
| Switching Speed | 1MHz |
| Transistor Configuration | Single |
| Вес, г | 7.983 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet NGTB40N65FL2WG
pdf, 139 КБ
