STGW30NC60KD
![Фото 1/5 STGW30NC60KD](https://static.chipdip.ru/lib/806/DOC043806615.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/171/DOC012171488.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/770/DOC016770963.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/770/DOC016770971.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/065/DOC027065793.jpg)
164 шт., срок 8-10 недель
2 090 ֏
от 10 шт. —
1 870 ֏
от 30 шт. —
1 690 ֏
от 100 шт. —
1 550 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 090 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Описание Транзистор: IGBT, 600В, 28А, 200Вт, TO247-3 Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 2.1В |
Collector Emitter Voltage Max | 600В |
Continuous Collector Current | 60А |
Power Dissipation | 200Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Channel Type | N |
Energy Rating | 1435mJ |
Gate Capacitance | 2170pF |
Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
Maximum Continuous Collector Current | 60 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 200 W |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Package Type | TO-247 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Brand: | STMicroelectronics |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 2.1 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current at 25 C: | 60 A |
Continuous Collector Current Ic Max: | 60 A |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 600 |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Package / Case: | TO-247-3 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 200 W |
Product Category: | IGBT Transistors |
Product Type: | IGBT Transistors |
Series: | STGW30NC60KD |
Subcategory: | IGBTs |
Technology: | Si |
Вес, г | 8.5 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 4 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 8 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг