STP10NM50N
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1950 шт., срок 4 недели
251 ֏
Кратность заказа 50 шт.
50 шт.
на сумму 12 550 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Транзисторы полевые
транз: N-MOSFET 500V 7A <0,63Om
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Continuous Drain Current | 7(A) |
| Drain-Source On-Volt | 500(V) |
| Gate-Source Voltage (Max) | '±25(V) |
| Mounting | Through Hole |
| Number of Elements | 1 |
| Operating Temp Range | -55C to 150C |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Package Type | TO-220AB |
| Packaging | Rail/Tube |
| Pin Count | 3+Tab |
| Polarity | N |
| Power Dissipation | 70(W) |
| Rad Hardened | No |
| Type | Power MOSFET |
| Вес, г | 3 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1135 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 14 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 18 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
