STP11NK50Z
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
650 шт. с центрального склада, срок 3 недели
307 ֏
Кратность заказа 50 шт.
Добавить в корзину 50 шт.
на сумму 15 350 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Транзисторы полевые
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 6,3А, 125Вт, TO220-3 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 10 A |
| Pd - рассеивание мощности | 125 W |
| Qg - заряд затвора | 49 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 520 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 18 ns |
| Время спада | 15 ns |
| Высота | 9.15 mm |
| Длина | 10.4 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | SuperMESH |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 7.7 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | STP11NK50Z |
| Технология | Si |
| Тип | MOSFET |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel Power MOSFET |
| Типичное время задержки выключения | 41 ns |
| Типичное время задержки при включении | 14.5 ns |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Ширина | 4.6 mm |
| Brand | STMicroelectronics |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Fall Time | 15 ns |
| Forward Transconductance - Min | 7.7 S |
| Height | 9.15 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 10 A |
| Length | 10.4 mm |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Packaging | Tube |
| Pd - Power Dissipation | 125 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 49 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 520 mOhms |
| Rise Time | 18 ns |
| RoHS | Details |
| Series | STB11NK50Z |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Type | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time | 41 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 14.5 ns |
| Unit Weight | 0.050717 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 500 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3.75 V |
| Width | 4.6 mm |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 10 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 520 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 500 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
| Maximum Power Dissipation | 125 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 49 nC @ 10 V |
| Вес, г | 3 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 408 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet STP11NK50Z
pdf, 393 КБ
STB11NK50Z - STP11NK50ZFP - STP11NK50Z
pdf, 408 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 24 июля1 | бесплатно |
| HayPost | 28 июля1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
