STP140NF55
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
650 шт., срок 4 недели
427 ֏
Кратность заказа 50 шт.
50 шт.
на сумму 21 350 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Транзисторы полевые
транз: N-MOSFET 55V 80A <0,008Om
Технические параметры
| RoHS Compliant | Yes |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Fall Time: | 45 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 100 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 80 A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | TO-220-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 300 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 142 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 8 mOhms |
| Rise Time: | 150 ns |
| Series: | STP140NF55 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | STripFET |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Type: | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 125 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 30 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 55 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Вес, г | 3 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 458 КБ
Datasheet STP140NF55
pdf, 463 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 14 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 18 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
