Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics › STP16NF06

STP16NF06

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

600 шт., срок 4 недели

115 ֏

Кратность заказа 50 шт.

50 шт. на сумму 5 750 ֏

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8023500840

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Транзисторы полевые

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 11А, 45Вт, TO220-3 Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	MOSFET

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	16 A
Pd - рассеивание мощности	45 W
Qg - заряд затвора	10 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	100 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	60 V
Vgs - напряжение затвор-исток	10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	18 ns
Время спада	6 ns
Высота	9.15 mm
Длина	10.4 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	STripFET
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	STP16NF06
Технология	Si
Тип	MOSFET
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	17 ns
Типичное время задержки при включении	7 ns
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка / блок	TO-220-3
Ширина	4.6 mm
Brand	STMicroelectronics
Channel Mode	Enhancement
Configuration	Single
Factory Pack Quantity	1000
Fall Time	6 ns
Forward Transconductance - Min	6.5 S
Height	9.15 mm
Id - Continuous Drain Current	16 A
Length	10.4 mm
Manufacturer	STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature	+175 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	Through Hole
Number of Channels	1 Channel
Package / Case	TO-220-3
Packaging	Tube
Pd - Power Dissipation	45 W
Product Category	MOSFET
Rds On - Drain-Source Resistance	100 mOhms
Rise Time	18 ns
RoHS	Details
Series	N-channel STripFET
Technology	Si
Transistor Polarity	N-Channel
Transistor Type	1 N-Channel
Type	MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time	17 ns
Typical Turn-On Delay Time	7 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	60 V
Vgs - Gate-Source Voltage	20 V
Width	4.6 mm
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	16 A
Maximum Drain Source Resistance	100 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	60 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Power Dissipation	45 W
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-220
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	10 nC @ 10 V
Maximum Gate Threshold Voltage	4V
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Automotive	No
ECCN (US)	EAR99
Lead Shape	Through Hole
Maximum Continuous Drain Current (A)	16
Maximum Diode Forward Voltage (V)	1.3
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)	100@10V
Maximum Drain Source Voltage (V)	60
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)	100
Maximum Gate Source Voltage (V)	±20
Maximum Gate Threshold Voltage (V)	4
Maximum IDSS (uA)	1
Maximum Operating Temperature (°C)	175
Maximum Positive Gate Source Voltage (V)	20
Maximum Power Dissipation (mW)	45000
Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A)	64
Minimum Gate Threshold Voltage (V)	2
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Mounting	Through Hole
Operating Junction Temperature (°C)	-55 to 175
Part Status	Active
PCB changed	3
PPAP	No
Process Technology	STripFET II
Standard Package Name	TO-220
Supplier Package	TO-220AB
Tab	Tab
Typical Drain Source Resistance @ 25°C (mOhm)	80@10V
Typical Fall Time (ns)	6
Typical Gate Charge @ 10V (nC)	10
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)	10@10V
Typical Gate Plateau Voltage (V)	5.8
Typical Gate to Drain Charge (nC)	3.5@10V
Typical Gate to Source Charge (nC)	3.5
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)	315@25V
Typical Output Capacitance (pF)	70
Typical Reverse Recovery Charge (nC)	88
Typical Reverse Recovery Time (ns)	50
Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF)	30@25V
Typical Rise Time (ns)	18
Typical Turn-Off Delay Time (ns)	17
Typical Turn-On Delay Time (ns)	7
Вес, г	3