STU8N80K5
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
10 шт., срок 4 недели
710 ֏
Кратность заказа 10 шт.
10 шт.
на сумму 7 100 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Транзисторы полевые
Транзистор полевой STU8N80K5
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 6 A |
| Pd - рассеивание мощности | 110 W |
| Qg - заряд затвора | 16.5 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 950 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 14 ns |
| Время спада | 20 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | SuperMESH |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | STU8N80K5 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 32 ns |
| Типичное время задержки при включении | 12 ns |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-251-3 |
| Base Product Number | STU8N80 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.5nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 450pF @ 100V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Other Related Documents | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Power Dissipation (Max) | 110W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950mOhm @ 3A, 10V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | SuperMESH5в„ў -> |
| Supplier Device Package | TO-251 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 100ВµA |
| Channel Mode | Enhancement |
| Continuous Drain Current | 6(A) |
| Drain-Source On-Volt | 800(V) |
| Gate-Source Voltage (Max) | '±30(V) |
| Mounting | Through Hole |
| Number of Elements | 1 |
| Operating Temp Range | -55C to 150C |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Package Type | IPAK |
| Packaging | Rail/Tube |
| Pin Count | 3+Tab |
| Polarity | N |
| Power Dissipation | 110(W) |
| Rad Hardened | No |
| Type | Power MOSFET |
| Вес, г | 0.875 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1185 КБ
Datasheet STU8N80K5
pdf, 1168 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 14 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 18 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
