N-Channel MOSFET, 60 A, 60 V, 3-Pin TO-220 STP65NF06

Фото 1/4 N-Channel MOSFET, 60 A, 60 V, 3-Pin TO-220 STP65NF06
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1300 шт., срок 8 недель
1 590 ֏
Кратность заказа 50 шт.
50 шт. на сумму 79 500 ֏
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8023549072
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 60В, 42А, 110Вт, TO220-3

Технические параметры

Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 60 A
Maximum Drain Source Resistance 14 Ω
Maximum Drain Source Voltage 60 V
Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage 4V
Maximum Operating Temperature +175 °C
Maximum Power Dissipation 110 W
Minimum Gate Threshold Voltage 2V
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Through Hole
Number of Elements per Chip 1
Package Type TO-220
Pin Count 3
Series STripFET II
Transistor Configuration Single
Transistor Material Si
Typical Gate Charge @ Vgs 54 nC @ 10 V
Width 4.6mm
Automotive No
Configuration Single
Maximum Continuous Drain Current - (A) 60
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) 14@10V
Maximum Drain Source Voltage - (V) 60
Maximum Gate Source Voltage - (V) ??20
Maximum Power Dissipation - (mW) 110000
Military No
Operating Temperature - (??C) -55~175
Packaging Tube
Standard Package Name TO-220
Supplier Package TO-220
Typical Gate Charge @ 10V - (nC) 54
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) 54@10V
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) 1700@25V
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 332 КБ
Документация
pdf, 329 КБ
STD65NF06 - STP65NF06
pdf, 329 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 11 сентября1 бесплатно
HayPost 15 сентября1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг