STP15810
![STP15810](https://static.chipdip.ru/lib/380/DOC042380230.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
90 шт., срок 8-10 недель
580 ֏
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 1 740 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
100V 110A 4.2mΩ@10V,55A 250W 4.5V@250uA N Channel TO-220 MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 110A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 4.2mΩ@10V, 55A |
Drain Source Voltage (Vdss) | 100V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4.5V@250uA |
Power Dissipation (Pd) | 250W |
Type | N Channel |
Вес, г | 2.9 |
Техническая документация
Datasheet STP15810
pdf, 353 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 4 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 8 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг