N-Channel MOSFET, 30 A, 710 V, 3-Pin D2PAK STB38N65M5
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1000 шт., срок 8 недель
4 760 ֏
Кратность заказа 1000 шт.
1000 шт.
на сумму 4 760 000 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 30 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 95 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 710 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -25 V, +25 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 190 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Pin Count | 3 |
| Series | MDmesh M5 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 71 nC @ 10 V |
| Width | 9.35mm |
| Continuous Drain Current (Id) | 30A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 95mΩ@10V, 15A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 5V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 3nF@100V |
| Power Dissipation (Pd) | 190W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 71nC@10V |
| Type | 1PCSNChannel |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
