STB20N95K5, Транзистор N-МОП, полевой, 950В, 11А, 250Вт, D2PAK
![STB20N95K5, Транзистор N-МОП, полевой, 950В, 11А, 250Вт, D2PAK](https://static.chipdip.ru/lib/367/DOC012367935.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
975 шт., срок 5-6 недель
8 900 ֏
от 10 шт. —
6 800 ֏
от 30 шт. —
5 900 ֏
от 100 шт. —
4 430 ֏
1 шт.
на сумму 8 900 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Transistors/Thyristors\MOSFETs
Стандартные продуктыСтандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 17.5A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 275mΩ@10V, 9A |
Drain Source Voltage (Vdss) | 950V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 5V@100uA |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.5nF@100V |
Power Dissipation (Pd) | 250W |
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 1pF@100V |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 40nC@10V |
Type | 1PCSNChannel |
Brand: | STMicroelectronics |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
Id - Continuous Drain Current: | 17.5 A |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package/Case: | D2PAK-3(TO-263-3) |
Pd - Power Dissipation: | 250 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 48 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 330 mOhms |
Series: | STB20N95K5 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | MDmesh |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 950 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 916 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 25 августа1 | бесплатно |
HayPost | 28 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг