N-Channel MOSFET, 13 A, 100 V, 3-Pin DPAK STD10NF10T4
![Фото 1/4 N-Channel MOSFET, 13 A, 100 V, 3-Pin DPAK STD10NF10T4](https://static.chipdip.ru/lib/236/DOC021236152.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/236/DOC021236155.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/757/DOC043757654.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/728/DOC017728490.jpg)
6890 шт., срок 8 недель
432 ֏
Кратность заказа 5 шт.
5 шт.
на сумму 2 160 ֏
Альтернативные предложения5
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 100В 13A 50Вт 0,13Ом TO252 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 13 A |
Maximum Drain Source Resistance | 130 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Maximum Power Dissipation | 50 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | DPAK(TO-252) |
Pin Count | 3 |
Series | STripFET |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 15.3 nC @ 10 V |
Width | 6.2mm |
кол-во в упаковке | 2500 |
Brand | STMicroelectronics |
Configuration | Single |
Factory Pack Quantity | 2500 |
Fall Time | 8 ns |
Forward Transconductance - Min | 20 S |
Height | 2.4 mm |
Id - Continuous Drain Current | 13 A |
Length | 6.6 mm |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Mounting Style | SMD/SMT |
Number of Channels | 1 Channel |
Package / Case | TO-252-3 |
Packaging | Cut Tape |
Pd - Power Dissipation | 50 W |
Product Category | MOSFET |
Rds On - Drain-Source Resistance | 115 mOhms |
Rise Time | 25 ns |
RoHS | Details |
Technology | Si |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 1 N-Channel |
Type | MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time | 32 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 16 ns |
Unit Weight | 0.139332 oz |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг