STP5N80K5, Транзистор: N-MOSFET

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

83 шт., срок 8 недель

2 360 ֏

от 5 шт. — 1 960 ֏

от 25 шт. — 1 530 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2 360 ֏

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8025130649

N-канал 800V 4A (Tc) 60W (Tc) сквозное отверстие TO-220

Base Product Number	STP5N80 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	800V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
ECCN	EAR99
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5nC @ 10V
HTSUS	8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	177pF @ 100V
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package	Tube
Package / Case	TO-220-3
Power Dissipation (Max)	60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.75Ohm @ 2A, 10V
REACH Status	REACH Unaffected
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Series	MDmeshв„ў ->
Supplier Device Package	TO-220
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 100ВµA
Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	1.5Ом
Power Dissipation	60Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	MDmesh K5
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Through Hole
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	800В
Непрерывный Ток Стока	4А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	4В
Рассеиваемая Мощность	60Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	1.5Ом
Стиль Корпуса Транзистора	TO-220AB
Вес, г	1.97