Dual N-Channel MOSFET, 72 A, 650 V, 3-Pin TO-247 STWA68N65DM6AG
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
570 шт., срок 8 недель
18 300 ֏
Кратность заказа 30 шт.
30 шт.
на сумму 549 000 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The STMicroelectronics high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM6 fast recovery diode series.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 72 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.039 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.75V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Package Type | TO-247 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Material | Si |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet STWA68N65DM6AG
pdf, 271 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
