STGF15H60DF, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30А, 30 Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
167 шт. с центрального склада, срок 3 недели
620 ֏
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 12 шт. —
530 ֏
от 24 шт. —
493 ֏
от 50 шт. —
480 ֏
4 шт.
на сумму 2 480 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30А, 30 Вт
Технические параметры
| Корпус | TO-220FP | |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.6В | |
| Collector Emitter Voltage Max | 600В | |
| Continuous Collector Current | 30А | |
| Power Dissipation | 30Вт | |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) | |
| Линейка Продукции | H | |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C | |
| Монтаж транзистора | Through Hole | |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220FP | |
| Brand: | STMicroelectronics | |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V | |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.6 V | |
| Configuration: | Single | |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 30 A | |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 15 A | |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 | |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 250 nA | |
| Manufacturer: | STMicroelectronics | |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, +20 V | |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C | |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C | |
| Mounting Style: | Through Hole | |
| Package / Case: | TO-220-3 FP | |
| Packaging: | Tube | |
| Pd - Power Dissipation: | 30 W | |
| Product Category: | IGBT Transistors | |
| Product Type: | IGBT Transistors | |
| Series: | STGF15H60DF | |
| Subcategory: | IGBTs | |
| Technology: | Si | |
| Brand | STMicroelectronics | |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 600 V | |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.6 V | |
| Configuration | Single | |
| Continuous Collector Current at 25 C | 30 A | |
| Continuous Collector Current Ic Max | 15 A | |
| Factory Pack Quantity | 1000 | |
| Gate-Emitter Leakage Current | 250 nA | |
| Manufacturer | STMicroelectronics | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20 V | |
| Maximum Operating Temperature | +175 C | |
| Minimum Operating Temperature | -55 C | |
| Mounting Style | Through Hole | |
| Package / Case | TO-220-3 FP | |
| Packaging | Tube | |
| Pd - Power Dissipation | 30 W | |
| Product Category | IGBT Transistors | |
| RoHS | Details | |
| Series | 600-650V IGBTs | |
| Technology | Si | |
| Вес, г | 2.3 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 9 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 13 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
