STD12NF06LT4, MOSFET N-Ch 60 Volt 12 Amp
![STD12NF06LT4, MOSFET N-Ch 60 Volt 12 Amp](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294472.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
7042 шт., срок 6-9 недель
1 340 ֏
от 10 шт. —
1 160 ֏
от 2500 шт. —
387 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 340 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Automotive-grade N-channel 60 V, 0.08 Ohm typ., 12 A STripFET II Power MOSFET in a DPAK package
Технические параметры
Brand | STMicroelectronics |
Channel Mode | Enhancement |
Configuration | Single |
Factory Pack Quantity | 2500 |
Fall Time | 13 ns |
Forward Transconductance - Min | 7 S |
Height | 2.4 mm |
Id - Continuous Drain Current | 12 A |
Length | 6.6 mm |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature | +175 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Number of Channels | 1 Channel |
Package / Case | TO-252-3 |
Packaging | Reel |
Pd - Power Dissipation | 30 W |
Product Category | MOSFET |
Rds On - Drain-Source Resistance | 100 mOhms |
Rise Time | 35 ns |
RoHS | Details |
Series | N-channel STripFET |
Technology | Si |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 1 N-Channel |
Type | MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time | 20 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 10 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 16 V |
Width | 6.2 mm |
Техническая документация
Документация
pdf, 551 КБ
Datasheet STD12NF06LT4
pdf, 844 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг