N-Channel MOSFET, 80 A, 100 V, 3-Pin TO-220 STP80NF10
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
12750 шт., срок 8 недель
4 050 ֏
Кратность заказа 50 шт.
50 шт.
на сумму 202 500 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 100В 80A 300Вт TO220 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 80 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 15 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 300 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220 |
| Pin Count | 3 |
| Series | STripFET II |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 135 nC @ 10 V |
| Width | 4.6mm |
| RoHS Compliant | Yes |
| Вид | MOSFET |
| Тип | полевой |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
