STB47N60DM6AG, MOSFET Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mOhm typ 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET
![STB47N60DM6AG, MOSFET Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mOhm typ 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET](https://static.chipdip.ru/lib/172/DOC012172284.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
281 шт., срок 6-9 недель
7 800 ֏
от 10 шт. —
6 600 ֏
от 25 шт. —
5 800 ֏
от 100 шт. —
4 930 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 7 800 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.07Ом |
Power Dissipation | 250Вт |
Квалификация | AEC-Q101 |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | MDmesh DM6 |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
Непрерывный Ток Стока | 36А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
Рассеиваемая Мощность | 250Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.07Ом |
Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 3-168 часов |
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг