N-Channel MOSFET, 75 A, 75 V, 3-Pin D2PAK STB75NF75LT4
![Фото 1/4 N-Channel MOSFET, 75 A, 75 V, 3-Pin D2PAK STB75NF75LT4](https://static.chipdip.ru/lib/763/DOC016763329.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/750/DOC043750294.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/763/DOC016763336.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/632/DOC035632622.jpg)
1000 шт., срок 8 недель
1 940 ֏
Кратность заказа 1000 шт.
1000 шт.
на сумму 1 940 000 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 75В 75A 300Вт 0.011Ом DІPAK
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 75 A |
Maximum Drain Source Resistance | 11 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 75 V |
Maximum Gate Source Voltage | -15 V, +15 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Maximum Power Dissipation | 300 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | D2PAK(TO-263) |
Pin Count | 3 |
Series | STripFET II |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 75 nC @ 5 V |
Width | 9.35mm |
Case | D2PAK |
Drain current | 70A |
Drain-source voltage | 75V |
Features of semiconductor devices | ESD protected gate |
Gate-source voltage | ±15V |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | reel, tape |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Mounting | SMD |
On-state resistance | 13mΩ |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 300W |
Technology | SuperMesh™ |
Type of transistor | N-MOSFET |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг