STP80NF70, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 68В 98A TO-220AB
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
256 шт. с центрального склада, срок 3 недели
580 ֏
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 19 шт. —
484 ֏
от 37 шт. —
449 ֏
от 100 шт. —
410 ֏
4 шт.
на сумму 2 320 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 68В 98A TO-220AB
Технические параметры
| Корпус | TO-220AB | |
| Base Product Number | STP80 -> | |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 98A (Tc) | |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 68V | |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| ECCN | EAR99 | |
| FET Type | N-Channel | |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 75nC @ 10V | |
| HTSUS | 8541.29.0095 | |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2550pF @ 25V | |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | |
| Mounting Type | Through Hole | |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) | |
| Other Related Documents | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL | |
| Package | Tube | |
| Package / Case | TO-220-3 | |
| Power Dissipation (Max) | 190W (Tc) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.8mOhm @ 40A, 10V | |
| REACH Status | REACH Unaffected | |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant | |
| Series | STripFETв„ў II -> | |
| Supplier Device Package | TO-220AB | |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Vgs (Max) | В±20V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA | |
| кол-во в упаковке | 50 | |
| Brand | STMicroelectronics | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Configuration | Single | |
| Factory Pack Quantity | 1000 | |
| Fall Time | 75 ns | |
| Forward Transconductance - Min | 60 S | |
| Id - Continuous Drain Current | 98 A | |
| Manufacturer | STMicroelectronics | |
| Maximum Operating Temperature | +175 C | |
| Minimum Operating Temperature | -55 C | |
| Mounting Style | Through Hole | |
| Number of Channels | 1 Channel | |
| Packaging | Tube | |
| Pd - Power Dissipation | 190 W | |
| Product Category | MOSFET | |
| Qg - Gate Charge | 75 nC | |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 9.8 mOhms | |
| Rise Time | 60 ns | |
| RoHS | Details | |
| Transistor Polarity | N-Channel | |
| Transistor Type | 1 N-Channel | |
| Typical Turn-Off Delay Time | 90 ns | |
| Typical Turn-On Delay Time | 17 ns | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 68 V | |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V | |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4 V | |
| Вес, г | 2.594 |
Техническая документация
Datasheet STP80NF70
pdf, 421 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 9 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 13 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
