STF24N60M2, Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ || Plus, полевой, 600В, 12А, 30Вт

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

4 шт. с центрального склада, срок 2 недели

3 200 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 3 200 ֏

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8029181133

Описание Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ || Plus, полевой, 600В, 12А, 30Вт Характеристики

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C	18A(Tc)
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)	30W(Tc)
Rds On - Drain-Source Resistance	190mО© @ 9A,10V
Transistor Polarity	N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	600V
Vgs - Gate-Source Voltage	4V @ 250uA
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	18 A
Maximum Drain Source Resistance	190 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	650 V
Maximum Gate Source Voltage	-25 V, +25 V
Maximum Gate Threshold Voltage	4V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	30 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-220FP
Pin Count	3
Series	MDmesh M2
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	29 nC @ 10 V
Width	4.6mm
Continuous Drain Current (Id)	20A
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)	-
Drain Source Voltage (Vdss)	650V
Type	N Channel
Вес, г	0.42