STD20NF20, , Транзистор полевой N-канальный , 200В, 18А, 90Вт, корпус TO- 252 (DPAK)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
245 шт. с центрального склада, срок 10 дней
1 060 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 10 шт. —
970 ֏
от 20 шт. —
960 ֏
5 шт.
на сумму 5 300 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
ТРАНЗИСТОРЫ\Транзисторы разные
The STD20NF20 is a STripFET™ N-channel Power MOSFET designed to minimize input capacitance and gate charge. It is therefore suitable as primary switch in advanced high-efficiency isolated DC-to-DC converters.
• Exceptional dV/dt capability
• Low gate charge
• 100% Avalanche tested
• -55 to 175°C Operating junction temperature
Технические параметры
| Корпус | TO-252(DPAK) | |
| MSL(Уровень чувствительности к влажности) | 1 | |
| Диапазон рабочих температур | -55…+175 °С | |
| Емкость, пФ | 940 | |
| Заряд затвора, нКл | 39 | |
| Максимально допустимое напряжение | затвор-исток(Vgs)±20 В | |
| Максимальное напряжение сток-исток, В | 200 | |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 18 | |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 125 | |
| Мощность | рассеиваемая(max)-110 Вт | |
| Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-4 В | |
| Описание | N-Channel 200 V 18A(Tc)110W(Tc)Surface Mount DPAK | |
| Способ монтажа | поверхностный(SMT) | |
| Тип | MOSFET | |
| Тип проводимости | N | |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 58*46*46/300 | |
| Упаковка | REEL, 2000 шт. | |
| Channel Type | N Channel | |
| Drain Source On State Resistance | 0.125Ом | |
| Power Dissipation | 90Вт | |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) | |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C | |
| Монтаж транзистора | Surface Mount | |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В | |
| Напряжение Истока-стока Vds | 200В | |
| Непрерывный Ток Стока | 18А | |
| Полярность Транзистора | N Канал | |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В | |
| Рассеиваемая Мощность | 90Вт | |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.125Ом | |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) | |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный | |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Continuous Drain Current | 18 A | |
| Maximum Drain Source Resistance | 125 mΩ | |
| Maximum Drain Source Voltage | 200 V | |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V | |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V | |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C | |
| Maximum Power Dissipation | 110 W | |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V | |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Package Type | DPAK(TO-252) | |
| Pin Count | 3 | |
| Series | STripFET | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Transistor Material | Si | |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 28 nC @ 10 V | |
| Width | 6.2mm | |
| Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 2 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 6 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
