STD18N55M5, , Транзистор полевой N-канальный , 550В, 13А, 90Вт, корпус TO-252 (DPAK)
![Фото 1/4 STD18N55M5, , Транзистор полевой N-канальный , 550В, 13А, 90Вт, корпус TO-252 (DPAK)](https://static.chipdip.ru/lib/395/DOC009395425.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/922/DOC000922428.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/941/DOC039941046.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/352/DOC022352047.jpg)
495 шт. с центрального склада, срок 2 недели
2 000 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 10 шт. —
1 870 ֏
от 20 шт. —
1 720 ֏
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 10 000 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
ТРАНЗИСТОРЫ\Транзисторы разные
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 16А, 110Вт, DPAK Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Корпус | TO-252(DPAK) | |
MSL(Уровень чувствительности к влажности) | 1 | |
Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С | |
Емкость, пФ | 1260 | |
Заряд затвора, нКл | 31 | |
Максимально допустимое напряжение | затвор-исток(Vgs)±25 В | |
Максимальное напряжение сток-исток, В | 550 | |
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 16 | |
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 192 | |
Мощность | рассеиваемая(max)-110 Вт | |
Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-5 В | |
Описание | N-Channel 550 V 16A(Tc)110W(Tc)Surface Mount DPAK | |
Способ монтажа | поверхностный(SMT) | |
Тип | MOSFET | |
Тип проводимости | N | |
Транспортная упаковка: размер/кол-во | 58*46*46/500 | |
Упаковка | REEL, 2500 шт. | |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 16A(Tc) | |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 550V | |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
FET Feature | - | |
FET Type | N-Channel | |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 10V | |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1260pF @ 100V | |
Manufacturer | STMicroelectronics | |
Mounting Type | Surface Mount | |
Operating Temperature | 150В°C(TJ) | |
Package / Case | TO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63 | |
Packaging | Tape & Reel(TR) | |
Part Status | Active | |
Power Dissipation (Max) | 110W(Tc) | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 192 mOhm @ 8A, 10V | |
Series | MDmeshв(ў V | |
Supplier Device Package | DPAK | |
Technology | MOSFET(Metal Oxide) | |
Vgs (Max) | В±25V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250ВµA | |
Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1540 КБ
Datasheet ...18N55M5
pdf, 1247 КБ
Видео
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 17 июля1 | бесплатно |
HayPost | 21 июля1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг