N-Channel MOSFET, 30 A, 100 V, 8-Pin PowerFLAT 5 x 6 STL30N10F7
![N-Channel MOSFET, 30 A, 100 V, 8-Pin PowerFLAT 5 x 6 STL30N10F7](https://static.chipdip.ru/lib/533/DOC023533529.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3000 шт., срок 8 недель
800 ֏
Кратность заказа 3000 шт.
3000 шт.
на сумму 2 400 000 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 30 A |
Maximum Drain Source Resistance | 35 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Maximum Power Dissipation | 75 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | PowerFLAT 5x6 |
Pin Count | 8 |
Series | STripFET H7 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 14 nC @ 10 V |
Width | 5.4mm |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг