N-Channel MOSFET, 80 A, 120 V, 3-Pin TO-220 STP80NF12
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1915 шт., срок 8 недель
1 680 ֏
Кратность заказа 5 шт.
5 шт.
на сумму 8 400 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
Стандартные продуктыСтандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 80 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 18 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 120 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 300 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220 |
| Pin Count | 3 |
| Series | STripFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 140 nC @ 10 V |
| Width | 4.6mm |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Fall Time: | 115 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 80 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 80 A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | TO-220-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 300 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 189 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 18 mOhms |
| Rise Time: | 145 ns |
| Series: | STP80NF12 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | STripFET |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Type: | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 134 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 40 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 120 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Case | TO220-3 |
| Drain current | 60A |
| Drain-source voltage | 120V |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 18mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 300W |
| Technology | STripFET™ II |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Brand | STMicroelectronics |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Fall Time | 115 ns |
| Forward Transconductance - Min | 80 S |
| Height | 9.15 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 80 A |
| Length | 10.4 mm |
| Mounting Style | Through Hole |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Packaging | Tube |
| Pd - Power Dissipation | 300 W |
| Product Category | MOSFET |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 18 mOhms |
| Rise Time | 145 ns |
| RoHS | Details |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Type | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time | 134 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 40 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 120 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
