STW35N60DM2, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 28A 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
60 шт. с центрального склада, срок 3-4 недели
2 380 ֏
2 160 ֏
от 6 шт. —
1 850 ֏
от 12 шт. —
1 720 ֏
от 30 шт. —
1 610 ֏
1 шт.
на сумму 2 160 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 28A 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Технические параметры
| Корпус | TO-247 | |
| Id - непрерывный ток утечки | 28 A | |
| Pd - рассеивание мощности | 210 W | |
| Qg - заряд затвора | 54 nC | |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 110 mOhms | |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V | |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V | |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V | |
| Вид монтажа | Through Hole | |
| Время нарастания | 17 ns | |
| Время спада | 10.7 ns | |
| Канальный режим | Enhancement | |
| Категория продукта | МОП-транзистор | |
| Количество каналов | 1 Channel | |
| Коммерческое обозначение | MDmesh | |
| Конфигурация | Single | |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C | |
| Минимальная рабочая температура | 55 C | |
| Подкатегория | MOSFETs | |
| Полярность транзистора | N-Channel | |
| Размер фабричной упаковки | 600 | |
| Серия | STW35N60DM2 | |
| Технология | Si | |
| Тип продукта | MOSFET | |
| Типичное время задержки выключения | 68 ns | |
| Типичное время задержки при включении | 21.2 ns | |
| Торговая марка | STMicroelectronics | |
| Упаковка / блок | TO-247-3 | |
| Brand | STMicroelectronics | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Configuration | 1 N-Channel | |
| Factory Pack Quantity | 600 | |
| Fall Time | 10.7 ns | |
| Id - Continuous Drain Current | 28 A | |
| Manufacturer | STMicroelectronics | |
| Maximum Operating Temperature | +150 C | |
| Minimum Operating Temperature | -55 C | |
| Mounting Style | Through Hole | |
| Number of Channels | 1 Channel | |
| Package / Case | TO-247-3 | |
| Pd - Power Dissipation | 210 W | |
| Product Category | MOSFET | |
| Qg - Gate Charge | 54 nC | |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 110 mOhms | |
| Rise Time | 17 ns | |
| RoHS | Details | |
| Technology | Si | |
| Transistor Polarity | N-Channel | |
| Typical Turn-Off Delay Time | 68 ns | |
| Typical Turn-On Delay Time | 21.2 ns | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V | |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 25 V | |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3 V | |
| Channel Type | N | |
| Forward Diode Voltage | 1.6V | |
| Maximum Continuous Drain Current | 28 A | |
| Maximum Drain Source Resistance | 110 mΩ | |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V | |
| Maximum Gate Source Voltage | -25 V, +25 V | |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V | |
| Maximum Power Dissipation | 210 W | |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V | |
| Mounting Type | Through Hole | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Package Type | TO-247 | |
| Pin Count | 3 | |
| Series | MDmesh DM2 | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Transistor Material | Si | |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 54 nC @ 10 V | |
| Width | 5.15mm | |
| Вес, г | 7.6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 701 КБ
Datasheet STW35N60DM2
pdf, 699 КБ
Datasheet STW35N60DM2
pdf, 568 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 12 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 15 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
