STD11N65M5, МОП-Транзистор 650 В 9 А 85 Вт 480 м-@10 В, 4,5 А 5 В @ 250мкА N-канальные МОП-Транзистор TO-252-3(DPAK)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 шт. с центрального склада, срок 2 недели
1 520 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 520 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
STM MDmeshV Power MOSFETs - Surface Mount
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Id - Continuous Drain Current: | 9 A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-252-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 85 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 17 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 480 mOhms |
| Series: | Mdmesh M5 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | MDmesh |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Вес, г | 0.35 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1001 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 17 июля1 | бесплатно |
| HayPost | 21 июля1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
