STT6N3LLH6, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 6A
![Фото 1/3 STT6N3LLH6, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 6A](https://static.chipdip.ru/lib/789/DOC032789133.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/534/DOC021534294.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/452/DOC044452603.jpg)
940 шт. с центрального склада, срок 3-4 недели
264 ֏
Мин. кол-во для заказа 8 шт.
от 26 шт. —
229 ֏
от 51 шт. —
216 ֏
от 101 шт. —
207 ֏
8 шт.
на сумму 2 112 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 6A
Технические параметры
Корпус | SOT-23-6 | |
кол-во в упаковке | 3000 | |
Base Part Number | STT6N | |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 6A(Tc) | |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V | |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
FET Feature | - | |
FET Type | N-Channel | |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.6nC @ 4.5V | |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 283pF @ 24V | |
Manufacturer | STMicroelectronics | |
Mounting Type | Surface Mount | |
Operating Temperature | 150В°C(TJ) | |
Package / Case | SOT-23-6 | |
Packaging | Cut Tape(CT) | |
Part Status | Active | |
Power Dissipation (Max) | 1.6W(Tc) | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 3A, 10V | |
Series | DeepGATEв(ў, STripFETв(ў VI | |
Supplier Device Package | SOT-23-6 | |
Technology | MOSFET(Metal Oxide) | |
Vgs (Max) | В±20V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250ВµA | |
Channel Type | N Channel | |
Drain Source On State Resistance | 0.021Ом | |
Power Dissipation | 1.6Вт | |
Количество Выводов | 6вывод(-ов) | |
Линейка Продукции | STripFET VI DeepGATE | |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C | |
Монтаж транзистора | Surface Mount | |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В | |
Напряжение Истока-стока Vds | 30В | |
Непрерывный Ток Стока | 6А | |
Полярность Транзистора | N Канал | |
Пороговое Напряжение Vgs | 1В | |
Рассеиваемая Мощность | 1.6Вт | |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.021Ом | |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 | |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный | |
Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet STT6N3LLH6
pdf, 1055 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 12 августа1 | бесплатно |
HayPost | 15 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг