N-Channel MOSFET, 8 A, 1500 V, 3-Pin TO-247 STW9N150
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
810 шт., срок 8 недель
11 200 ֏
Кратность заказа 30 шт.
30 шт.
на сумму 336 000 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 1500В, 5А, 320Вт, TO247-3
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 8 A |
Maximum Drain Source Resistance | 2.5 Ω |
Maximum Drain Source Voltage | 1500 V |
Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 320 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-247 |
Pin Count | 3 |
Series | MDmesh |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 89.3 nC @ 10 V |
Width | 5.15mm |
Continuous Drain Current | 8(A) |
Drain Current (Max) | 8 A |
Drain Efficiency | Not Required% |
Drain-Source On-Res | 2.5(ohm) |
Drain-Source On-Volt | 1500(V) |
Frequency (Max) | Not Required MHz |
Gate-Source Voltage (Max) | '±30(V) |
Mounting | Through Hole |
Noise Figure | Not Required dB |
Number of Elements | 1 |
Operating Temp Range | -55C to 150C |
Operating Temperature Classification | Military |
Output Power (Max) | Not Required W |
Packaging | Rail/Tube |
Polarity | N |
Power Dissipation | 320(W) |
Power Gain | Not Required dB |
Rad Hardened | No |
Type | Power MOSFET |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet STW9N150
pdf, 254 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг