N-Channel MOSFET, 11 A, 710 V, 3-Pin TO-220FP STF15N65M5
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
950 шт., срок 7 недель
3 340 ֏
Кратность заказа 50 шт.
Добавить в корзину 50 шт.
на сумму 167 000 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 11 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 340 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 710 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -25 V, +25 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 25 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220FP |
| Pin Count | 3 |
| Series | MDmesh M5 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Width | 4.6mm |
| Continuous Drain Current (Id) | 11A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 340mΩ@5.5A, 10V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 5V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 816pF@100V |
| Power Dissipation (Pd) | 30W |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 22nC@10V |
| Type | null |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 21 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 25 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
