SiC N-Channel SiC Power Module, 12 A, 1200 V Depletion, 3-Pin HiP247 SCT10N120AG
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
20 шт., срок 7 недель
313 000 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 313 000 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The STMicroelectronics Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET has very tight variation of on-resistance vs.
Технические параметры
| Channel Mode | Depletion |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 12 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.52 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 25V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | HiP247 |
| Pin Count | 3 |
| Series | SCT |
| Transistor Material | SiC |
Техническая документация
Datasheet SCT10N120AG
pdf, 418 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 21 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 25 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
