STP9NK90Z, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 8А 160Вт
![Фото 1/4 STP9NK90Z, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 8А 160Вт](https://static.chipdip.ru/lib/758/DOC043758101.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/452/DOC004452310.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/254/DOC021254662.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/254/DOC021254666.jpg)
78 шт. с центрального склада, срок 3 недели
2 070 ֏
от 6 шт. —
1 760 ֏
от 12 шт. —
1 620 ֏
от 23 шт. —
1 560 ֏
1 шт.
на сумму 2 070 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 8А 160Вт
Технические параметры
Корпус | TO-220AB | |
кол-во в упаковке | 50 | |
Brand | STMicroelectronics | |
Channel Mode | Enhancement | |
Configuration | Single | |
Factory Pack Quantity | 1000 | |
Fall Time | 28 ns | |
Height | 9.15 mm | |
Id - Continuous Drain Current | 8 A | |
Length | 10.4 mm | |
Manufacturer | STMicroelectronics | |
Maximum Operating Temperature | +150 C | |
Minimum Operating Temperature | -55 C | |
Mounting Style | Through Hole | |
Number of Channels | 1 Channel | |
Package / Case | TO-220-3 | |
Packaging | Tube | |
Pd - Power Dissipation | 160 W | |
Product Category | MOSFET | |
Rds On - Drain-Source Resistance | 1.3 Ohms | |
Rise Time | 13 ns | |
RoHS | Details | |
Series | N-channel MDmesh | |
Technology | Si | |
Transistor Polarity | N-Channel | |
Transistor Type | 1 N-Channel | |
Type | MOSFET | |
Typical Turn-Off Delay Time | 55 ns | |
Typical Turn-On Delay Time | 22 ns | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 900 V | |
Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V | |
Width | 4.6 mm | |
Channel Type | N | |
Maximum Continuous Drain Current | 8 A | |
Maximum Drain Source Resistance | 1.3 Ω | |
Maximum Drain Source Voltage | 900 V | |
Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V | |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V | |
Maximum Power Dissipation | 160 W | |
Minimum Gate Threshold Voltage | 3V | |
Mounting Type | Through Hole | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Package Type | TO-220 | |
Pin Count | 3 | |
Transistor Configuration | Single | |
Transistor Material | Si | |
Typical Gate Charge @ Vgs | 72 nC @ 10 V | |
Вес, г | 3.5 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 9 августа1 | бесплатно |
HayPost | 13 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг