STB6NK90ZT4, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 140Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
162 шт. с центрального склада, срок 3 недели
414 ֏
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
от 15 шт. —
369 ֏
от 30 шт. —
356 ֏
от 59 шт. —
338 ֏
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 2 070 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 140Вт
Технические параметры
| Корпус | D2Pak(TO-263) | |
| Brand | STMicroelectronics | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Configuration | Single | |
| Factory Pack Quantity | 1000 | |
| Fall Time | 20 ns | |
| Forward Transconductance - Min | 5 S | |
| Height | 4.6 mm | |
| Id - Continuous Drain Current | 5.8 A | |
| Length | 10.4 mm | |
| Manufacturer | STMicroelectronics | |
| Maximum Operating Temperature | +150 C | |
| Minimum Operating Temperature | -55 C | |
| Mounting Style | SMD/SMT | |
| Number of Channels | 1 Channel | |
| Package / Case | TO-263-3 | |
| Packaging | Reel | |
| Pd - Power Dissipation | 140 W | |
| Product Category | MOSFET | |
| Qg - Gate Charge | 46.5 nC | |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 2 Ohms | |
| Rise Time | 45 ns | |
| RoHS | Details | |
| Series | STB6NK90Z | |
| Technology | Si | |
| Transistor Polarity | N-Channel | |
| Transistor Type | 1 N-Channel | |
| Type | MOSFET | |
| Typical Turn-Off Delay Time | 20 ns | |
| Typical Turn-On Delay Time | 17 ns | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 900 V | |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V | |
| Width | 9.35 mm | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current | 5.8 A | |
| Maximum Drain Source Resistance | 2 Ω | |
| Maximum Drain Source Voltage | 900 V | |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V | |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V | |
| Maximum Power Dissipation | 140 W | |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Package Type | D2PAK(TO-263) | |
| Pin Count | 3 | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Transistor Material | Si | |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 46.5 nC @ 10 V | |
| Вес, г | 1.2 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 24 июля1 | бесплатно |
| HayPost | 28 июля1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
