Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics › STP9NK50ZFP, Транзистор полевой MOSFET ...

STP9NK50ZFP, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 7.2А 30Вт

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

417 шт. с центрального склада, срок 3 недели

229 ֏

Мин. кол-во для заказа 9 шт.

от 26 шт. — 207 ֏

от 50 шт. — 194 ֏

от 150 шт. — 185 ֏

9 шт. на сумму 2 061 ֏

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8145387110

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 7.2А 30Вт

Технические параметры

Корпус	TO-220F
EU RoHS	Compliant with Exemption
ECCN (US)	EAR99
Part Status	Active
HTS	8541.29.00.95
Product Category	Power MOSFET
Process Technology	SuperMESH
Configuration	Single
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Number of Elements per Chip	1
Maximum Drain Source Voltage (V)	500
Maximum Gate Source Voltage (V)	±30
Maximum Continuous Drain Current (A)	7.2
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)	850@10V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)	32@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC)	32
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)	910@25V
Maximum Power Dissipation (mW)	30000
Typical Fall Time (ns)	22
Typical Rise Time (ns)	20
Typical Turn-Off Delay Time (ns)	45
Typical Turn-On Delay Time (ns)	17
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Packaging	Tube
Automotive	No
Pin Count	3
Supplier Package	TO-220FP
Standard Package Name	TO-220
Military	No
Mounting	Through Hole
Package Height	16.4(Max)
Package Length	10.4(Max)
Package Width	4.6(Max)
PCB changed	3
Tab	Tab
Lead Shape	Through Hole
Id - непрерывный ток утечки	7.2 A
Pd - рассеивание мощности	30 W
Qg - заряд затвора	32 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	850 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	500 V
Vgs - напряжение затвор-исток	30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	20 ns
Время спада	22 ns
Высота	9.3 mm
Длина	10.4 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	SuperMESH
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	5.3 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	STP9NK50ZFP
Средства разработки	STEVAL-ISC002V1
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel MOSFET
Типичное время задержки выключения	45 ns
Типичное время задержки при включении	17 ns
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3
Ширина	4.6 mm
Maximum Continuous Drain Current	7.2 A
Maximum Drain Source Resistance	850 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	500 V
Maximum Gate Source Voltage	-30 V, +30 V
Maximum Gate Threshold Voltage	4.5V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	30 W
Minimum Gate Threshold Voltage	3V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Package Type	TO-220FP
Series	MDmesh, SuperMESH
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	32 nC @ 10 V
Width	4.6mm
Вес, г	3.5