STP80NF10FP, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 38А 300Вт
![Фото 1/5 STP80NF10FP, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 38А 300Вт](https://static.chipdip.ru/lib/744/DOC043744379.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/117/DOC040117205.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/872/DOC025872515.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/625/DOC010625692.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/478/DOC021478587.jpg)
72 шт. с центрального склада, срок 3-4 недели
1 590 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 8 шт. —
1 370 ֏
от 15 шт. —
1 270 ֏
от 29 шт. —
1 220 ֏
2 шт.
на сумму 3 180 ֏
Альтернативные предложения2
Посмотреть аналоги2
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 38А 300Вт
Технические параметры
Корпус | TO-220F | |
Brand: | STMicroelectronics | |
Channel Mode: | Enhancement | |
Configuration: | Single | |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 | |
Fall Time: | 60 ns | |
Id - Continuous Drain Current: | 80 A | |
Manufacturer: | STMicroelectronics | |
Maximum Operating Temperature: | +175 C | |
Minimum Operating Temperature: | -55 C | |
Mounting Style: | Through Hole | |
Number of Channels: | 1 Channel | |
Package / Case: | TO-220-3 | |
Packaging: | Tube | |
Pd - Power Dissipation: | 300 W | |
Product Category: | MOSFET | |
Product Type: | MOSFET | |
Qg - Gate Charge: | 189 nC | |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 15 mOhms | |
Rise Time: | 80 ns | |
Series: | STP80NF10FP | |
Subcategory: | MOSFETs | |
Technology: | Si | |
Tradename: | STripFET | |
Transistor Polarity: | N-Channel | |
Transistor Type: | 1 N-Channel | |
Typical Turn-Off Delay Time: | 116 ns | |
Typical Turn-On Delay Time: | 26 ns | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V | |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V | |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V | |
Channel Mode | Enhancement | |
Channel Type | N | |
Maximum Continuous Drain Current | 80 A | |
Maximum Drain Source Resistance | 15 mΩ | |
Maximum Drain Source Voltage | 100 V | |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V | |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4V | |
Maximum Operating Temperature | +175 °C | |
Maximum Power Dissipation | 45 W | |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2V | |
Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
Mounting Type | Through Hole | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Package Type | TO-220FP | |
Pin Count | 3 | |
Series | STripFET II | |
Transistor Configuration | Single | |
Transistor Material | Si | |
Typical Gate Charge @ Vgs | 135 nC @ 10 V | |
Width | 4.6mm | |
Вес, г | 3.5 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 12 августа1 | бесплатно |
HayPost | 15 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг