STD5NK40ZT4, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 1.47 Ом, 45Вт, 3A

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

579 шт. с центрального склада, срок 3 недели

339 ֏

Мин. кол-во для заказа 6 шт.

от 18 шт. — 308 ֏

от 35 шт. — 291 ֏

от 69 шт. — 278 ֏

6 шт. на сумму 2 034 ֏

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8215395646

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 1.47 Ом, 45Вт, 3A

Корпус	dpak
Brand:	STMicroelectronics
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	2500
Fall Time:	11 ns
Forward Transconductance - Min:	2.2 S
Id - Continuous Drain Current:	3 A
Manufacturer:	STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Number of Channels:	1 Channel
Package / Case:	TO-252-3
Pd - Power Dissipation:	45 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	17 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	1.8 Ohms
Rise Time:	6 ns
Series:	STD5NK40ZT4
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Tradename:	SuperMESH
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Type:	MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time:	22.5 ns
Typical Turn-On Delay Time:	9.2 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	400 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-30 V, +30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	3 V
Automotive	No
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Configuration	Single
Maximum Continuous Drain Current - (A)	3
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)	1800@10V
Maximum Drain Source Voltage - (V)	400
Maximum Gate Source Voltage - (V)	??30
Maximum Power Dissipation - (mW)	45000
Military	No
Number of Elements per Chip	1
Operating Temperature - (??C)	-55~150
Packaging	Tape and Reel
Pin Count	3
Standard Package Name	TO-252
Supplier Package	DPAK
Typical Gate Charge @ 10V - (nC)	11.7
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)	11.7@10V
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)	305@25V
Вес, г	0.6