STR2N2VH5, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 2.3А, 0.35Вт
![Фото 1/6 STR2N2VH5, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 2.3А, 0.35Вт](https://static.chipdip.ru/lib/459/DOC004459157.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/735/DOC043735677.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/131/DOC021131568.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/763/DOC016763021.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/472/DOC018472444.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/589/DOC035589003.jpg)
1373 шт. с центрального склада, срок 3 недели
58 ֏
Мин. кол-во для заказа 36 шт.
от 62 шт. —
53 ֏
от 124 шт. —
43 ֏
от 247 шт. —
39 ֏
36 шт.
на сумму 2 088 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 2.3А, 0.35Вт
Технические параметры
Корпус | sot-23 | |
Channel Type | N Channel | |
Drain Source On State Resistance | 0.025Ом | |
Power Dissipation | 350мВт | |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) | |
Линейка Продукции | STripFET H5 | |
Максимальная Рабочая Температура | 150 C | |
Монтаж транзистора | Surface Mount | |
Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В | |
Напряжение Истока-стока Vds | 20В | |
Непрерывный Ток Стока | 2.3А | |
Полярность Транзистора | N Канал | |
Пороговое Напряжение Vgs | 700мВ | |
Рассеиваемая Мощность | 350мВт | |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.025Ом | |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 | |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный | |
Channel Mode | Enhancement | |
Maximum Continuous Drain Current | 2.3 A | |
Maximum Drain Source Resistance | 40 mΩ | |
Maximum Drain Source Voltage | 20 V | |
Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +8 V | |
Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
Maximum Power Dissipation | 350 mW | |
Minimum Gate Threshold Voltage | 0.7V | |
Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
Mounting Type | Surface Mount | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Package Type | SOT-23 | |
Pin Count | 3 | |
Series | STripFET V | |
Transistor Configuration | Single | |
Transistor Material | Si | |
Typical Gate Charge @ Vgs | 6 nC @ 4.5 V | |
Width | 1.75mm | |
Brand: | STMicroelectronics | |
Channel Mode: | Enhancement | |
Configuration: | Single | |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 | |
Id - Continuous Drain Current: | 2.3 A | |
Manufacturer: | STMicroelectronics | |
Maximum Operating Temperature: | +150 C | |
Minimum Operating Temperature: | -55 C | |
Mounting Style: | SMD/SMT | |
Number of Channels: | 1 Channel | |
Package / Case: | SOT-23-3 | |
Pd - Power Dissipation: | 350 mW | |
Product Category: | MOSFET | |
Product Type: | MOSFET | |
Qg - Gate Charge: | 6 nC | |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 30 mOhms | |
Series: | STR2N2VH5 | |
Subcategory: | MOSFETs | |
Technology: | Si | |
Tradename: | STripFET | |
Transistor Polarity: | N-Channel | |
Transistor Type: | 1 N-Channel | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V | |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V | |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 700 mV | |
Brand | STMicroelectronics | |
Configuration | Single | |
Factory Pack Quantity | 3000 | |
Id - Continuous Drain Current | 2.3 A | |
Manufacturer | STMicroelectronics | |
Mounting Style | SMD/SMT | |
Number of Channels | 1 Channel | |
Package / Case | SOT-23-3 | |
Packaging | Reel | |
Pd - Power Dissipation | 350 mW | |
Product Category | MOSFET | |
Qg - Gate Charge | 6 nC | |
Rds On - Drain-Source Resistance | 30 mOhms | |
RoHS | Details | |
Technology | Si | |
Transistor Polarity | N-Channel | |
Transistor Type | 1 N-Channel | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V | |
Vgs - Gate-Source Voltage | 8 V | |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 0.7 V | |
Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 9 августа1 | бесплатно |
HayPost | 13 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг