STGF3NC120HD, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 7 А, 25 Вт

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

380 шт. с центрального склада, срок 3 недели

800 ֏

Мин. кол-во для заказа 3 шт.

от 14 шт. — 710 ֏

от 28 шт. — 620 ֏

от 50 шт. — 590 ֏

3 шт. на сумму 2 400 ֏

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8265892118

Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы

Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 7 А, 25 Вт

Корпус	TO-220FP
Brand	STMicroelectronics
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	2.8 V
Configuration	Single
Continuous Collector Current	3 A
Continuous Collector Current at 25 C	6 A
Continuous Collector Current Ic Max	6 A
Factory Pack Quantity	1000
Gate-Emitter Leakage Current	+/-100 nA
Height	9.3 mm
Length	10.4 mm
Manufacturer	STMicroelectronics
Maximum Gate Emitter Voltage	+/-20 V
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	Through Hole
Package / Case	TO-220-3 FP
Packaging	Tube
Pd - Power Dissipation	25 W
Product Category	IGBT Transistors
RoHS	Details
Series	900-1300V IGBTs
Technology	Si
Width	4.6 mm
Case	TO220FP
Collector current	3A
Collector-emitter voltage	1.2kV
Features of semiconductor devices	integrated anti-parallel diode
Gate charge	24nC
Gate-emitter voltage	±20V
Kind of package	tube
Mounting	THT
Power dissipation	25W
Pulsed collector current	20A
Type of transistor	IGBT
Вес, г	3.5