STD3NK50Z-1, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 2.3A

Фото 1/2 STD3NK50Z-1, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 2.3A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
721 шт. с центрального склада, срок 3-4 недели
137 ֏
Мин. кол-во для заказа 15 шт.
от 75 шт.115 ֏
от 150 шт.102 ֏
от 300 шт.93 ֏
15 шт. на сумму 2 055 ֏
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8284571367
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 2.3A

Технические параметры

Корпус TO-251
Base Product Number STD3N ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 2.3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 280pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Power Dissipation (Max) 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3Ohm @ 1.15A, 10V
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series SuperMESHв„ў ->
Supplier Device Package I-PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 50ВµA
Вес, г 0.83

Техническая документация

Datasheet STD3NK50Z-1
pdf, 472 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 12 августа1 бесплатно
HayPost 15 августа1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг