STD1NK80ZT4, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 1А 45Вт
![Фото 1/3 STD1NK80ZT4, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 1А 45Вт](https://static.chipdip.ru/lib/451/DOC004451653.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/941/DOC039941046.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/614/DOC010614878.jpg)
4317 шт. с центрального склада, срок 3 недели
484 ֏
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
от 108 шт. —
366 ֏
от 215 шт. —
344 ֏
от 430 шт. —
339 ֏
5 шт.
на сумму 2 420 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 1А 45Вт
Технические параметры
Корпус | dpak | |
Brand: | STMicroelectronics | |
Channel Mode: | Enhancement | |
Configuration: | Single | |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 | |
Fall Time: | 55 ns | |
Forward Transconductance - Min: | 0.8 S | |
Id - Continuous Drain Current: | 1 A | |
Manufacturer: | STMicroelectronics | |
Maximum Operating Temperature: | +150 C | |
Minimum Operating Temperature: | -55 C | |
Mounting Style: | SMD/SMT | |
Number of Channels: | 1 Channel | |
Package / Case: | TO-252-3 | |
Pd - Power Dissipation: | 45 W | |
Product Category: | MOSFET | |
Product Type: | MOSFET | |
Qg - Gate Charge: | 7.7 nC | |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 13 Ohms | |
Rise Time: | 30 ns | |
Series: | STD1NK80Z | |
Subcategory: | MOSFETs | |
Technology: | Si | |
Transistor Polarity: | N-Channel | |
Transistor Type: | 1 N-Channel | |
Type: | MOSFET | |
Typical Turn-Off Delay Time: | 22 ns | |
Typical Turn-On Delay Time: | 8 ns | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 800 V | |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V | |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V | |
Brand | STMicroelectronics | |
Channel Mode | Enhancement | |
Configuration | Single | |
Factory Pack Quantity | 2500 | |
Fall Time | 55 ns | |
Forward Transconductance - Min | 0.8 S | |
Id - Continuous Drain Current | 1 A | |
Manufacturer | STMicroelectronics | |
Maximum Operating Temperature | +150 C | |
Minimum Operating Temperature | -55 C | |
Mounting Style | SMD/SMT | |
Package / Case | DPAK-3 | |
Packaging | Reel | |
Pd - Power Dissipation | 45 W | |
Product Category | MOSFET | |
Qg - Gate Charge | 7.7 nC | |
Rds On - Drain-Source Resistance | 13 Ohms | |
Rise Time | 30 ns | |
RoHS | Details | |
Series | STD1NK80Z | |
Transistor Polarity | N-Channel | |
Typical Turn-Off Delay Time | 22 ns | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 800 V | |
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage | 30 V | |
Вес, г | 0.6 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 9 августа1 | бесплатно |
HayPost | 13 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг