STGP14NC60KD, Биполярный транзистор IGBT, 50 КГц, 14 А, 600 В, 80 Вт
![Фото 1/2 STGP14NC60KD, Биполярный транзистор IGBT, 50 КГц, 14 А, 600 В, 80 Вт](https://static.chipdip.ru/lib/452/DOC004452315.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/974/DOC000974128.jpg)
65 шт. с центрального склада, срок 3 недели
1 650 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 7 шт. —
1 430 ֏
от 14 шт. —
1 300 ֏
от 28 шт. —
1 250 ֏
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 3 300 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Биполярный транзистор IGBT, 50 КГц, 14 А, 600 В, 80 Вт
Технические параметры
Корпус | TO-220AB | |
Brand | STMicroelectronics | |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 600 V | |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 2 V | |
Configuration | Single | |
Continuous Collector Current | 14 A | |
Continuous Collector Current at 25 C | 11 A | |
Continuous Collector Current Ic Max | 7 A | |
Factory Pack Quantity | 50 | |
Gate-Emitter Leakage Current | 150 uA | |
Height | 9.15 mm | |
Length | 10.4 mm | |
Manufacturer | STMicroelectronics | |
Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20 V | |
Maximum Operating Temperature | +150 C | |
Minimum Operating Temperature | -55 C | |
Mounting Style | Through Hole | |
Package / Case | TO-220-3 | |
Packaging | Tube | |
Pd - Power Dissipation | 28 W | |
Product Category | IGBT Transistors | |
RoHS | Details | |
Series | 600-650V IGBTs | |
Unit Weight | 0.211644 oz | |
Width | 4.6 mm | |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet STGB14NC60KDT4, STGF14NC60KD, STGP14NC60KD
pdf, 1461 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 24 июля1 | бесплатно |
HayPost | 28 июля1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг