STD20NF06LT4, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 24А 0.032 Ом, 60Вт
![Фото 1/6 STD20NF06LT4, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 24А 0.032 Ом, 60Вт](https://static.chipdip.ru/lib/459/DOC004459574.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294471.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/395/DOC009395424.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/236/DOC021236151.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/614/DOC010614878.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/236/DOC021236155.jpg)
891 шт. с центрального склада, срок 3 недели
414 ֏
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
от 15 шт. —
374 ֏
от 29 шт. —
357 ֏
от 58 шт. —
339 ֏
5 шт.
на сумму 2 070 ֏
Альтернативные предложения3
Посмотреть аналоги3
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 24А 0.032 Ом, 60Вт
Технические параметры
Корпус | dpak | |
Channel Mode | Enhancement | |
Channel Type | N | |
Maximum Continuous Drain Current | 24 A | |
Maximum Drain Source Resistance | 50 mΩ | |
Maximum Drain Source Voltage | 60 V | |
Maximum Gate Source Voltage | -18 V, +18 V | |
Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V | |
Maximum Operating Temperature | +175 °C | |
Maximum Power Dissipation | 60 W | |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1V | |
Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
Mounting Type | Surface Mount | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Package Type | DPAK(TO-252) | |
Pin Count | 3 | |
Series | STripFET | |
Transistor Configuration | Single | |
Transistor Material | Si | |
Typical Gate Charge @ Vgs | 13 nC @ 10 V | |
Width | 6.2mm | |
Brand: | STMicroelectronics | |
Channel Mode: | Enhancement | |
Configuration: | Single | |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 | |
Fall Time: | 12 ns | |
Forward Transconductance - Min: | 20 S | |
Id - Continuous Drain Current: | 24 A | |
Manufacturer: | STMicroelectronics | |
Maximum Operating Temperature: | +175 C | |
Minimum Operating Temperature: | -55 C | |
Mounting Style: | SMD/SMT | |
Number of Channels: | 1 Channel | |
Package / Case: | TO-252-3 | |
Pd - Power Dissipation: | 60 W | |
Product Category: | MOSFET | |
Product Type: | MOSFET | |
Qg - Gate Charge: | 13 nC | |
Qualification: | AEC-Q101 | |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 32 mOhms | |
Rise Time: | 50 ns | |
Series: | STD20NF06L | |
Subcategory: | MOSFETs | |
Technology: | Si | |
Transistor Polarity: | N-Channel | |
Transistor Type: | 1 N-Channel | |
Type: | MOSFET | |
Typical Turn-Off Delay Time: | 20 ns | |
Typical Turn-On Delay Time: | 11 ns | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V | |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V | |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V | |
Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id | |
Транспортная упаковка: размер/кол-во | 58*46*46/1000 | |
Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 413 КБ
Datasheet
pdf, 393 КБ
Datasheet STD20NF06L, STD20NF06L-1
pdf, 410 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 9 августа1 | бесплатно |
HayPost | 13 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг