STY112N65M5, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 710В 93А 0.022 Ом, 190Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
28 шт. с центрального склада, срок 3-4 недели
10 000 ֏
от 2 шт. —
9 700 ֏
от 3 шт. —
9 600 ֏
от 4 шт. —
9 500 ֏
1 шт.
на сумму 10 000 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 710В 93А 0.022 Ом, 190Вт
Технические параметры
Корпус | MAX247 | |
Brand: | STMicroelectronics | |
Channel Mode: | Enhancement | |
Configuration: | Single | |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 600 | |
Id - Continuous Drain Current: | 96 A | |
Manufacturer: | STMicroelectronics | |
Maximum Operating Temperature: | +150 C | |
Minimum Operating Temperature: | -55 C | |
Mounting Style: | Through Hole | |
Number of Channels: | 1 Channel | |
Package / Case: | Max247-3 | |
Packaging: | Tube | |
Pd - Power Dissipation: | 625 W | |
Product Category: | MOSFET | |
Product Type: | MOSFET | |
Qg - Gate Charge: | 350 nC | |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 19 mOhms | |
Series: | Mdmesh M5 | |
Subcategory: | MOSFETs | |
Technology: | Si | |
Tradename: | MDmesh | |
Transistor Polarity: | N-Channel | |
Transistor Type: | 1 N-Channel | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V | |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V | |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V | |
Вес, г | 8.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 837 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 12 августа1 | бесплатно |
HayPost | 15 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг