N-Channel MOSFET, 4 A, 600 V, 3-Pin D2PAK STB4NK60ZT4
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
25 шт., срок 8 недель
2 730 ֏
Кратность заказа 5 шт.
5 шт.
на сумму 13 650 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
МОП-транзистор N-Ch 600 Volt 4 Amp Zener SuperMESH
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 4 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 2 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 70 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Pin Count | 3 |
| Series | MDmesh, SuperMESH |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 18.8 nC @ 10 V |
| Width | 9.35mm |
| Id - непрерывный ток утечки | 4 A |
| Pd - рассеивание мощности | 70 W |
| Qg - заряд затвора | 26 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 9.5 ns |
| Время спада | 16.5 ns |
| Высота | 4.6 mm |
| Длина | 10.4 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | SuperMESH |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | STB4NK60ZT4 |
| Технология | Si |
| Тип | MOSFET |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 29 ns |
| Типичное время задержки при включении | 12 ns |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Ширина | 9.35 mm |
| Continuous Drain Current (Id) | 4A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 2Ω@2A, 10V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4.5V@50uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 510pF@25V |
| Power Dissipation (Pd) | 70W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 26nC@10V |
| Type | 1PCSNChannel |
| Вес, г | 1.814 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 712 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 575 КБ
Datasheet STD4NK60ZT4
pdf, 1070 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
