STP6NK60Z, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6А 104Вт
![Фото 1/3 STP6NK60Z, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6А 104Вт](https://static.chipdip.ru/lib/879/DOC043879292.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/452/DOC004452310.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/195/DOC017195402.jpg)
2895 шт. с центрального склада, срок 3-4 недели
436 ֏
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
от 50 шт. —
361 ֏
от 150 шт. —
330 ֏
от 250 шт. —
317 ֏
5 шт.
на сумму 2 180 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6А 104Вт
Технические параметры
Корпус | to-220 | |
Rds Вкл | 1.2 Ohms | |
RoHS | Подробности | |
Вид монтажа | Through Hole | |
Время нарастания | 14 ns | |
Время спада | 19 ns | |
Категория продукта | МОП-транзистор | |
Конфигурация | Single | |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 5 S | |
Максимальная рабочая температура | +150 C | |
Минимальная рабочая температура | -55 C | |
Напряжение пробоя затвор-исток | +/-30 V | |
Напряжение пробоя сток-исток | 600 V | |
Непрерывный ток стока | 6 A | |
Полярность транзистора | N-Channel | |
Производитель | STMicroelectronics | |
Размер фабричной упаковки | 50 | |
Рассеяние мощности | 110 W | |
Серия | STP6NK60Z | |
Типичное время задержки выключения | 47 ns | |
Торговая марка | STMicroelectronics | |
Упаковка | Tube | |
Упаковка / блок | TO-220 | |
Brand: | STMicroelectronics | |
Channel Mode: | Enhancement | |
Configuration: | Single | |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 | |
Fall Time: | 19 ns | |
Forward Transconductance - Min: | 5 S | |
Id - Continuous Drain Current: | 6 A | |
Manufacturer: | STMicroelectronics | |
Maximum Operating Temperature: | +150 C | |
Minimum Operating Temperature: | -55 C | |
Mounting Style: | Through Hole | |
Number of Channels: | 1 Channel | |
Package / Case: | TO-220-3 | |
Packaging: | Tube | |
Pd - Power Dissipation: | 110 W | |
Product Category: | MOSFET | |
Product Type: | MOSFET | |
Qg - Gate Charge: | 33 nC | |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.2 Ohms | |
Rise Time: | 14 ns | |
Series: | STP6NK60Z | |
Subcategory: | MOSFETs | |
Technology: | Si | |
Tradename: | SuperMESH | |
Transistor Polarity: | N-Channel | |
Transistor Type: | 1 N-Channel | |
Type: | MOSFET | |
Typical Turn-Off Delay Time: | 47 ns | |
Typical Turn-On Delay Time: | 14 ns | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V | |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V | |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.5 V | |
Вес, г | 3.5 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 12 августа1 | бесплатно |
HayPost | 15 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг